• Tag Archieven karakteristiek
  • BGDR curvetracer van YiCheng Electronics

    Met deze BGDR heeft YiCheng Electronics een poging gewaagd een complete halfgeleider curvetracer voor slechts € 100,00 op de markt te brengen.

    Achtergrondinformatie

    De Ic = f(Uce) karakteristiek van een transistor

    Voor het onderzoeken van de kwaliteit van een bipolaire transistor kunt u diverse technieken toepassen. Het opmeten van de Ic = f(Uce) karakteristiek is wel een van de grondigste. Deze karakteristiek kunt u vergelijken met een ‘hartfilmpje‘ van uw hart. Zoals dat veel informatie geeft over de staat van uw hart geeft de Ic = f(Uce) karakteristiek een heleboel informatie over de staat van een transistor. U kunt er bijvoorbeeld de versterkingsfactor β uit afleiden, maar ook de dynamische weerstand en de kniespanning van de halfgeleider. Deze karakteristiek wordt bovendien ook gebruikt voor het instellen van de transistortrap. Kortom, de Ic = f(Uce) karakteristiek is als het ware de pasfoto van een bipolaire transistor. Als een transistor een goede karakteristiek heeft weet u zeker dat deze halfgeleider goed werkt.

    Opmerking
    Deze karakteristiek wordt ook wel de ‘uitgangskarakteristiek‘ van de halfgeleider genoemd.
    Wat is de Ic = f(Uce) karakteristiek?

    De Ic = f(Uce) karakteristiek geeft het verband tussen de spanning tussen de collector en de emitter Uce en de grootte van de collectorstroom Ic van een bipolaire transistor. Deze karakteristiek is echter in grote mate afhankelijk van de basisstroom die u in de transistor stuurt. Voor iedere waarde van de basisstroom kunt u een eigen uitgangskarakteristiek opnemen. Er ontstaat dus een bundel van curves die uniek is voor de transistor.

    Het meten van de uitgangskarakteristiek
    Hoe ontstaat een dergelijke bundel van curves? U stuurt een bepaalde constante stroom Ib in de basis. Vervolgens laat u de collector/emitter-spanning Uce stapsgewijs variëren van nul tot maximum en noteert voor iedere waarde de vloeiende collectorstroom Ic. U herhaalt deze metingen met verdubbelde basisstroom en ijvert zo verder tot u de volledige bundel curves hebt opgenomen.

    Een goede Ic = f(Uce)-karakteristiek van een transistor.
    Een goede Ic = f(Uce)-karakteristiek van een transistor.

    Hoe werkt een curvetracer?
    Het handmatig opnemen van deze uitgangskarakteristiek is een tijdrovende klus die u met wat eenvoudige elektronica echter in één seconde kunt uitvoeren. Een curvetracer zet namelijk de Ic = f(Uce) karakteristiek op het scherm van uw analoge of digitale oscilloscoop. Als die bundel grafieken er goed uitziet, dan weet u dat u de transistor zonder problemen in nieuwe schakelingen kunt gebruiken.

    Onderstaande figuur onthult hoe dit elektronisch is te verwezenlijken. Een oscillator bestuurt enerzijds een trapspanning generator en anderzijds een zaagtandspanning generator. Iedere keer dat een zaagtandcyclus is doorlopen, wordt de trapspanning één trede verhoogd.

    Het blokschema van een halfgeleider curvetracer
    Het blokschema van een halfgeleider curvetracer

    Lees verder  Bericht ID 47769


  • Diode metingen

    Fig. 1: Een niet temperatuur gecontroleerde diode meting.
    Fig. 1: Een niet temperatuur gecontroleerde diode meting.

    Eigenschappen van dioden staan beschreven in datasheets die fabrikanten uitgeven. Halfgeleiders met hetzelfde typenummer kunnen echter een behoorlijke onderlinge spreiding hebben. Of men heeft een volstrekt onbekend type diode in handen. Wil men de exacte eigenschappen weten dan zal het bewuste component aan een aantal metingen onderworpen moeten worden om deze te achterhalen. Dit artikel behandeld een serie metingen die de belangrijkste DC eigenschappen meet.
    De te testen diode is gemerkt met “DUT”, Diode Under Test.


    Invloed eigen opwarming

    Fig. 2: Eenvoudig meetschema voor het opnemen van de diodekarakteristiek.
    Fig. 2: Eenvoudig meetschema voor het opnemen van de diodekarakteristiek.

    De stroom-spanning karakteristiek is een belangrijk gegeven van een diode. Deze curve wordt vaak opgenomen met een schakeling zoals die staat afgebeeld in figuur 2. De meetstroom wordt hier ingesteld met de spanningsbron U en weerstand R. In plaats van hiervan wordt ook wel een stroombron toegepast. Tijdens een handmatige opname van de karakteristiek wordt de spanning van bron U stapsgewijs verhoogt. Bij elke ingestelde spanning loopt er een zekere stroom door de diode DUT die geregistreerd wordt door de ampèremeter A, de spanningsval over de diode wordt gemeten met de voltmeter V.

    Fig. 3: De meetstroom verhoogt de junctie temperatuur waardoor de diodekarakteristiek niet juist wordt gemeten.
    Fig. 3: De meetstroom verhoogt de junctie temperatuur waardoor de diodekarakteristiek niet juist wordt gemeten.

    Bij een handmatige meting vloeit er continu stroom door de diode. Het product van de diodestroom ID en diodespanning UD is het gedissipeerde vermogen die de diode opwarmt. In het begin van de meetprocedure waar de stroom nog klein is, is de opwarming gering. Naarmate de stroom verder wordt opgevoed zal het ontwikkelde vermogen steeds groter worden en de junctie steeds verder in temperatuur stijgen. Dit is weergegeven met de blauwe lijn in figuur 3. Ter vergelijking staat met een rode lijn de diode karakteristiek afgebeeld waarbij de junctietemperatuur constant op 47 °C werd gehouden.

    Door deze temperatuurstijging tijdens de meting verkrijgt men een onbetrouwbaar beeld van de werkelijke diodekarakteristiek. Door deze meetfout lijkt het of de diode een scherpe knik in de karakteristiek heeft en een zeer stijl verder verloop. De werkelijke karakteristiek verloopt meer vloeiend en minder stijl.

    Dit voorbeeld laat zien dat het belangrijk is om de junctietemperatuur nauwkeurig te weten voor een betrouwbaar resultaat. Hoe de diodekarakteristiek wel goed gemeten kan worden staat verder op beschreven.


    Lees verder  Bericht ID 47769